MT41K256M16TG-125 vs MT41K256M16RE-125:D 对比

详细并排对比 MT41K256M16TG-125 出自 Micron Technology 和 MT41K256M16RE-125:D 出自 Micron Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Micron Technology
MT41K256M16TG-125 MT41K256M16TG-125 - 4Gb DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16TG-125 - 4Gb DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16TG-125 ✓ 量产中
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MT41K256M16RE-125:D MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-125:D ✓ 量产中

规格对比

参数 MT41K256M16TG-125 MT41K256M16RE-125:D
品牌 Micron Technology Micron Technology
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $7.20 $4.19
存储器类型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
存储容量 4 Gbit —
存储组织 256M x 16 256M x 16
电源电压 1.35 V 1.35 V
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 20 ns —
接口 Parallel —
封装 96-FBGA (8x14) FBGA-96 (9x14 mm)
安装类型 Surface Mount —
工作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C (TC)
数据速率 1600 MT/s 1600 MT/s
CAS 延迟 [DATA_NEEDED: CAS latency] 11
RoHS 状态 Compliant —
Lead Free Yes —
引脚数 96 —
Density — 4 Gb
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Burst Length — 8, 4
On-Die Termination — Yes
Auto-Refresh — Yes
Self-Refresh — Yes
Ball Pitch — 0.8 mm

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