MT41K256M16TG-125 vs MT41K256M16RE-125:D Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MT41K256M16TG-125 от Micron Technology и MT41K256M16RE-125:D от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | MT41K256M16TG-125 | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $7,20 | $4,19 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Размер памяти | 4 Gbit | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Напряжение питания | 1.35 V | 1.35 V |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Корпус | 96-FBGA (8x14) | FBGA-96 (9x14 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C (TC) |
| Скорость передачи данных | 1600 MT/s | 1600 MT/s |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | 11 |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Количество выводов | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |