W634GU6RB-11 vs W634GU6RB12J 对比
详细并排对比 W634GU6RB-11 出自 Winbond 和 W634GU6RB12J 出自 Winbond。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况，以确定最适合您设计需求的元器件。
规格对比
| 参数 | W634GU6RB-11 | W634GU6RB12J |
|---|---|---|
| 品牌 | Winbond | Winbond |
| 分类 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命周期状态 | 有效 | 有效 |
| 库存状态 | 有库存 | 有库存 |
| 单价（USD） | $13.52 | $6.00 |
| 存储器类型 | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| 存储容量 | 4Gbit (256M x 16) | 4Gbit |
| 接口 | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 933 MHz | 933 MHz |
| 数据速率 | 1866 MT/s | — |
| CAS 延迟 | 20 ns | — |
| 电源电压 | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35V |
| 封装 | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96-VFBGA (7.5x13) |
| 工作温度 | -40°C to +95°C | -40°C to +105°C (TCASE) |
| 安装类型 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 状态 | Compliant | Compliant |
| 无卤 | Yes | Yes |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| 存储组织 | — | 256M x 16 |
| Access Time | — | 20 ns |
| Speed Grade | — | 12J (DDR3L-1866) |
| Burst Length | — | 8 |
| On-Die Termination | — | Yes |