1ED3124MC12HXUMA1 vs 1EDI20I12MFXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1ED3124MC12HXUMA1 بواسطة Infineon و 1EDI20I12MFXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
1EDI20I12MFXUMA1 1EDI20I12MFXUMA1 - 1200V Isolated Gate Driver | Infineon

1EDI20I12MFXUMA1 - 1200V Isolated Gate Driver | Infineon

1EDI20I12MFXUMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل 1ED3124MC12HXUMA1 1EDI20I12MFXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Channel Type Single-channel —
Configuration High-side / Low-side (non-inverting) —
Number of Drivers 1 —
عدد المخارج 1 —
Peak Source Current 13.5 A —
Peak Sink Current 14 A —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (RMS) 5.7 kV —
Transient Overvoltage 8000 Vpk —
Supply Voltage (VCC2) 10.5 V to 35 V —
Supply Current (Max) 1.1 mA —
Propagation Delay (Typ) 90 ns —
زمن الصعود 15 ns —
زمن السقوط 30 ns —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
العلبة PG-DSO-8 (DSO-8) PG-DSO-8-51 (8-pin DSO, 4 mm creepage)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Protections UVLO, Short-Circuit (DESAT) —
Target Devices IGBT, SiC MOSFET —
حالة RoHS Compliant Compliant
الوظيفة — Isolated single-channel high-side gate driver
Isolation Type — Galvanic (coreless transformer)
Number of Channels — 1
Output Current (Source/Sink) — 2 A peak
Active Miller Clamp Current — 2 A
Maximum Operating Voltage (Switch side) — 1200 V
Propagation Delay (typ.) — 300 ns
Input Logic — Inverting / Non-inverting
تكوين الخرج — Single high-side driver
Minimum Creepage — 4 mm
Short Circuit Protection — Yes (clamping)
Supply Voltage (Secondary) — [DATA_NEEDED: secondary supply voltage range]
CMTI — [DATA_NEEDED: common-mode transient immunity]
UVLO — Yes (secondary side)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر