1EDN7136UXTSA1 vs 2EDR8258XXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN7136UXTSA1 بواسطة Infineon و 2EDR8258XXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDN7136UXTSA1 2EDR8258XXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة High-side / Low-side gate driver IC —
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
عدد المخارج 2 (high-side and low-side) 2 (high-side and low-side, half-bridge)
Peak Source Current 1 A 5 A
Peak Sink Current 2 A 9 A
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) —
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +150 C -40 °C to +125 °C
العلبة TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-DSO-14 (14-pin)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
خالٍ من الهالوجين Yes (per Infineon product family convention) —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Product Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Technology — Magnetic (coreless transformer) coupling
Number of Channels — 1
Galvanic Isolation (rms) — 5700 Vrms
Galvanic Isolation (peak) — 8000 Vpk
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — 150 V/ns
Propagation Delay (typical) — 38 ns
Driver Supply Voltage (VCC, VBS) — 8 V to 20 V
Input Supply Voltage (VDD) — 3 V to 5.5 V
Protection Features — UVLO (VCC/VBS), DESAT short-circuit, enable/shutdown, dead-time control, interleaving protection
Logic Input — Non-inverting, CMOS compatible

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر