1EDN7146GXTMA1 vs 1EDN7511BXUSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN7146GXTMA1 بواسطة Infineon و 1EDN7511BXUSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDN7146GXTMA1 1EDN7511BXUSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Type High-side, single-channel Low-Side, Single Channel
Number of Drivers 1 1
Logic Type Non-Inverting —
Input Type TDI (Truly Differential Inductor) —
Maximum Bootstrap Voltage (VB) 200 V —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Source/Sink Drive Current 500 mA / 500 mA —
Gate Drive Voltage Up to 11 V (typ) —
Propagation Delay (typ) 40 ns —
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
UVLO (VCC) Yes —
UVLO (VB) Yes —
Bootstrap Diode Integrated —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
العلبة PG-VSON-10-4 PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 —
عدد المخارج — 1
Configuration — Inverting, Non-Inverting
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
زمن الصعود — [DATA_NEEDED: rise time ns]
زمن السقوط — 4.5 ns
Propagation Delay — ±5 ns (matched)
جهد التغذية التشغيلي — [DATA_NEEDED: VCC range V]
Input Logic Compatibility — TTL / CMOS
UVLO Protection — Yes (integrated)
Output Stage — True low-impedance complementary rail-to-rail
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 C to +150 C
Packaging — Cut Tape (Tape & Reel available)
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر