1EDN7511BXUSA1 vs 2EDN7534RXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN7511BXUSA1 بواسطة Infineon و 2EDN7534RXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDN7511BXUSA1 2EDN7534RXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Type Low-Side, Single Channel —
Number of Drivers 1 —
عدد المخارج 1 —
Configuration Inverting, Non-Inverting —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
زمن الصعود [DATA_NEEDED: rise time ns] —
زمن السقوط 4.5 ns —
Propagation Delay ±5 ns (matched) —
جهد التغذية التشغيلي [DATA_NEEDED: VCC range V] —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS LV-TTL
UVLO Protection Yes (integrated) —
Output Stage True low-impedance complementary rail-to-rail —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +150 C —
العلبة PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23) PG-TSSOP-8
نوع التركيب Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount
Packaging Cut Tape (Tape & Reel available) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
الوظيفة — Low-side gate driver
Number of Channels — 2
Peak Output Current (source/sink) — 5 A / 5 A
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Propagation Delay (typ) — 19 ns
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V (absolute max)
تكوين الخرج — Non-inverting
Output Resistance (Ron) — <1 ohm (typ)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
مستوى MSL — 1 (unlimited)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر