1EDN7512GXTMA1 vs 2EDN7533RXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN7512GXTMA1 بواسطة Infineon و 2EDN7533RXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
1EDN7512GXTMA1 1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDN7512GXTMA1 2EDN7533RXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Low-side gate driver, single channel Dual-channel low-side gate driver
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
عدد المخارج 1 —
Logic Inputs Inverting and Non-Inverting —
Propagation Delay (typical) 19 ns —
نطاق جهد الدخل [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Robustness (negative) -10 V —
زمن الصعود [DATA_NEEDED: typical tr] —
زمن السقوط [DATA_NEEDED: typical tf] —
UVLO [DATA_NEEDED: UVLO threshold] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
العلبة PG-WSON-6-1 (6-pin WSON with exposed pad) PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Number of Channels — 2
Input Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Output Current — 5 A
Output Resistance (Pull-up, typ.) — 0.5 ohm
Output Resistance (Pull-down, typ.) — 0.3 ohm
Propagation Delay (typ.) — 19 ns
Channel-to-Channel Delay Matching — 1.3 ns (typ.)
Rise/Fall Time — 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load)
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V
Supply Voltage VDD (recommended) — 4.5 V to 20 V
Supply Voltage VDD (absolute max) — 25 V
Under-Voltage Lockout — Yes (per channel)
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -40 C to +150 C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر