1EDN7512GXTMA1 vs 2EDN7533RXTMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDN7512GXTMA1 tarafından Infineon ve 2EDN7533RXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
1EDN7512GXTMA1 1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1EDN7512GXTMA1 2EDN7533RXTMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Fonksiyon Low-side gate driver, single channel Dual-channel low-side gate driver
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Çıkış Sayısı 1 —
Logic Inputs Inverting and Non-Inverting —
Propagation Delay (typical) 19 ns —
Giriş电压范围 [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Robustness (negative) -10 V —
Artış Süresi [DATA_NEEDED: typical tr] —
Düşüş Süresi [DATA_NEEDED: typical tf] —
UVLO [DATA_NEEDED: UVLO threshold] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 C to +125 C —
Paket PG-WSON-6-1 (6-pin WSON with exposed pad) PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Number of Channels — 2
Input Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Output Current — 5 A
Output Resistance (Pull-up, typ.) — 0.5 ohm
Output Resistance (Pull-down, typ.) — 0.3 ohm
Propagation Delay (typ.) — 19 ns
Channel-to-Channel Delay Matching — 1.3 ns (typ.)
Rise/Fall Time — 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load)
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V
Supply Voltage VDD (recommended) — 4.5 V to 20 V
Supply Voltage VDD (absolute max) — 25 V
Under-Voltage Lockout — Yes (per channel)
İşletim Jant Sıcaklığı — -40 C to +150 C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin