27C512-25 vs 27C512-25-X مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 27C512-25 بواسطة Microchip Technology و 27C512-25-X بواسطة Fujitsu. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Microchip Technology
27C512-25 27C512-25 - 512Kbit 64Kx8 CMOS EPROM 250ns | Microchip

27C512-25 - 512Kbit 64Kx8 CMOS EPROM 250ns | Microchip

27C512-25 Obsolete

مقارنة المواصفات

المعامل 27C512-25 27C512-25-X
العلامة التجارية Microchip Technology Fujitsu
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة Obsolete Obsolete
Memory Organization 64K x 8 (524,288 bits) —
نوع الذاكرة CMOS EPROM (UV / OTP) UV EPROM
Maximum Access Time 250 ns —
Supply Voltage (Read Mode) 5 V +/- 10% —
Standby Current (CMOS) 20 uA typical —
Operating Mode Asynchronous —
نوع الخرج 3-state, common I/O —
Pinout Standard JEDEC-approved 28-pin —
العلبة DIP-28 28-pin DIP (windowed ceramic or plastic OTP variant per suffix)
نوع التركيب Through Hole Through Hole
Programming Method High-voltage EPROM programming (Flashrite type) —
Erase Method UV (windowed variant) or not erasable (OTP variant) —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Access Time Guarantee Any byte in less than 250 ns —
Technology CMOS floating gate CMOS
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown (legacy non-RoHS-era part)
حجم الذاكرة — 512 Kbit (64K x 8)
التنظيم — 65,536 words x 8 bits
Access Time — 250 ns
Supply Voltage (Read) — 5 V +/- 10%
الواجهة — Parallel
Address Lines — 15 (A0-A14)
Data Lines — 8 (D0-D7), 3-state outputs
Control Signals — /CE (chip enable), /OE (output enable), /PGM (program)
Programming Voltage — [DATA_NEEDED: VPP programming voltage]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Active Current — [DATA_NEEDED: active current]
Pinout — JEDEC-approved 27C512 pinout

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر