2ED2103S06FXUMA1 vs 2EDN7533RXTMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2ED2103S06FXUMA1 بواسطة Infineon و 2EDN7533RXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 2ED2103S06FXUMA1 | 2EDN7533RXTMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| الوظيفة | Half-Bridge Gate Driver | Dual-channel low-side gate driver |
| Configuration | Non-Inverting | — |
| Technology | High-Voltage Level Shift (SOI) | — |
| Number of Drivers | 2 (high-side + low-side) | — |
| Driven Device Type | IGBT, N-Channel MOSFET | — |
| High-Side Offset Voltage (Max) | 650 V | — |
| Bootstrap Voltage (Max) | 675 V | — |
| Supply Voltage (VCC) | 10 V to 20 V | — |
| Source Current (typ.) | 0.29 A | — |
| Sink Current (typ.) | 0.7 A | — |
| Bootstrap Diode | Integrated | — |
| Logic Input Compatibility | 3.3 V / 5 V | — |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | Yes (VCC and VBS) | — |
| العلبة | PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad) | PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Number of Channels | — | 2 |
| Input Polarity | — | Inverting |
| Peak Source/Sink Output Current | — | 5 A |
| Output Resistance (Pull-up, typ.) | — | 0.5 ohm |
| Output Resistance (Pull-down, typ.) | — | 0.3 ohm |
| Propagation Delay (typ.) | — | 19 ns |
| Channel-to-Channel Delay Matching | — | 1.3 ns (typ.) |
| Rise/Fall Time | — | 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load) |
| Input Logic Compatibility | — | LV-TTL |
| Input Voltage Tolerance | — | -12 V to +22 V |
| Supply Voltage VDD (recommended) | — | 4.5 V to 20 V |
| Supply Voltage VDD (absolute max) | — | 25 V |
| Under-Voltage Lockout | — | Yes (per channel) |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -40 C to +150 C |