2ED21064S06JXUMA1 vs 2ED2106S06FXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2ED21064S06JXUMA1 بواسطة Infineon و 2ED2106S06FXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2ED21064S06JXUMA1 2ED2106S06FXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة High-Side and Low-Side Gate Driver —
Configuration Half-Bridge (2 outputs, non-inverting) High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
البنية الطوبولوجية High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode —
Maximum Offset / Boot Voltage 650 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.7 A —
Rise Time (typical) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (typical) [DATA_NEEDED: fall time] —
Propagation Delay (typical) 100 ns —
Channel-to-Channel Delay Match [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match] —
Under-Voltage Lockout Yes (both channels) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS CMOS, TTL
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
العلبة PG-DSO-14 (14-pin SOIC) PG-DSO-8-69 (DSO-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
حالة RoHS ROHS3 Compliant —
Negative Gate Drive Robustness -0.7 V —
Offset Voltage (Voffset max) — 650 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Propagation Delay (typ.) — 100 ns
عدد المخارج — 2 (1 high-side, 1 low-side)
Number of Drivers — 2
عدد الدبابيس — 8
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
نوع الخرج — Half-Bridge, Non-Inverting

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر