2ED2183S06FXUMA1 vs 2ED21834S06JXUMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2ED2183S06FXUMA1 بواسطة Infineon و 2ED21834S06JXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 2ED2183S06FXUMA1 | 2ED21834S06JXUMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Driver Type | Half-Bridge Gate Driver | — |
| Number of Drivers | 1 | — |
| عدد المخارج | 1 (half-bridge: high-side + low-side) | — |
| Configuration | High Side, Low Side, Non-Inverting | Half-bridge (high-side + low-side) |
| Maximum Offset Voltage | 650 V | — |
| Output Current (Sink/Source) | 2.5 A typical | — |
| زمن الصعود | 15 ns | — |
| زمن السقوط | 15 ns | — |
| Supply Voltage (VCC) | 10 V to 20 V | — |
| Bootstrap Supply (VBS) | 10 V to 20 V (typ.) | — |
| Logic Input Voltage | 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN) | — |
| Input Type | Non-Inverting | — |
| Bootstrap Diode | Integrated | — |
| Undervoltage Lockout (UVLO) | VCC and VBS | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40 C to +125 C | — |
| العلبة | PG-DSO-8-53 (DSO-8) | PG-DSO-14-49 (DSO-14) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 2 | — |
| Terminal Finish | Tin (e3 per JESD-609) | — |
| Technology | SOI (Silicon-On-Insulator) | SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Type | — | Half-Bridge Gate Driver IC |
| Maximum Offset Voltage (VBS) | — | 650 V |
| Typical Sink Current | — | 2.5 A |
| Typical Source Current | — | 2.5 A |
| Input Logic | — | Non-Inverting |
| Integrated Bootstrap Diode | — | Yes |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | — | Yes (VCC and VBS) |
| عدد الدبابيس | — | 14 |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -40 °C to +125 °C |
| Standard Reel Quantity | — | 3000 |