2ED2183S06FXUMA1 vs 2ED21834S06JXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2ED2183S06FXUMA1 מאת Infineon ו 2ED21834S06JXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 2ED2183S06FXUMA1 2ED21834S06JXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Type Half-Bridge Gate Driver —
Number of Drivers 1 —
מספר יציאות 1 (half-bridge: high-side + low-side) —
Configuration High Side, Low Side, Non-Inverting Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Offset Voltage 650 V —
Output Current (Sink/Source) 2.5 A typical —
זמן עלייה 15 ns —
זמן ירידה 15 ns —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 20 V (typ.) —
Logic Input Voltage 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN) —
Input Type Non-Inverting —
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) VCC and VBS —
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C —
מארז PG-DSO-8-53 (DSO-8) PG-DSO-14-49 (DSO-14)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL 2 —
Terminal Finish Tin (e3 per JESD-609) —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Maximum Offset Voltage (VBS) — 650 V
Typical Sink Current — 2.5 A
Typical Source Current — 2.5 A
Input Logic — Non-Inverting
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
מספר פינים — 14
טווח טמפרטורת פעולה — -40 °C to +125 °C
Standard Reel Quantity — 3000

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר