2ED2738S01GXTMA1 vs IR2110SPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2ED2738S01GXTMA1 بواسطة Infineon و IR2110SPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2ED2738S01GXTMA1 IR2110SPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Output Current (Source, peak) 4.0 A —
Output Current (Sink, peak) 8.0 A —
Output Current (Source, typ) 1.0 A —
Output Current (Sink, typ) 2.0 A —
عدد المخارج 1 —
Input Type Non-Inverting —
Input Logic Compatibility TTL —
Supply Voltage (VDD/VCC) 6 V to 20 V —
Bootstrap Supply Voltage Up to 600 V (HS pin rating) —
Propagation Delay (typ) 120 ns —
Channel-to-Channel Match 40 ns —
Rise/Fall Time (1 nF load) 1.5 ns / 1.5 ns —
Negative Transient Immunity (HS) -10 V to +20 V transient —
Under-Voltage Lockout VCC and Bootstrap —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
العلبة PG-VSON-10-5 (3x3 mm) with EP 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 2 (1 year) —
حالة RoHS Compliant —
الوظيفة — Half-bridge gate driver
البنية الطوبولوجية — High-side and low-side referenced output channels
Number of Channels — 2 (1 high-side, 1 low-side)
Logic Type — Non-inverting
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 500 V
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) — 10 V to 20 V
Peak Output Current (source/sink) — 2.0 A / 2.0 A
Typical Propagation Delay (ton/toff) — 94 ns / 94 ns
Rise/Fall Time (typical) — 25 ns / 17 ns
Logic Input Compatibility — 3.3 V CMOS / LSTTL
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes, both Vcc and VCC
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر