2EDL5013U2DXTMA1 vs 2EDL8033G4CXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDL5013U2DXTMA1 بواسطة Infineon و 2EDL8033G4CXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
2EDL5013U2DXTMA1 2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDL5013U2DXTMA1 2EDL8033G4CXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Configuration High-Side, Low-Side (Half-Bridge) —
Input Logic Non-Inverting —
Number of Channels 2 —
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 3 A —
تكوين الخرج Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V —
Bootstrap Voltage Rating 120 V max —
Rise Time (typ.) 4.4 ns —
Fall Time (typ.) 3.5 ns —
Miller Clamp 7 A active Miller clamp —
Bootstrap Diode Integrated —
UVLO VCC and VBS under-voltage lockout —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
العلبة PG-TSNP-12-5 (12-pin, 5x5 mm) PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High-Side / Low-Side, Non-Inverting
عدد المخارج — 2 (HS + LS)
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Isolation Technology — Junction-isolated
Propagation Delay (Typ) — 45 ns
Channel-to-Channel Matching — <10 ns
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Marking Code — 2ED8033G4C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر