2EDL5013U2DXTMA1 vs 2EDL8033G4CXTMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2EDL5013U2DXTMA1 מאת Infineon ו 2EDL8033G4CXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
2EDL5013U2DXTMA1 2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 ✓ פעיל
Infineon
2EDL8033G4CXTMA1 2EDL8033G4CXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2EDL8033G4CXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2EDL8033G4CXTMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 2EDL5013U2DXTMA1 2EDL8033G4CXTMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Configuration High-Side, Low-Side (Half-Bridge) —
Input Logic Non-Inverting —
Number of Channels 2 —
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 3 A —
תצורת מוצא Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V —
Bootstrap Voltage Rating 120 V max —
Rise Time (typ.) 4.4 ns —
Fall Time (typ.) 3.5 ns —
Miller Clamp 7 A active Miller clamp —
Bootstrap Diode Integrated —
UVLO VCC and VBS under-voltage lockout —
טווח טמפרטורת פעולה -40C to +125C -40C to +125C
מארז PG-TSNP-12-5 (12-pin, 5x5 mm) PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High-Side / Low-Side, Non-Inverting
מספר יציאות — 2 (HS + LS)
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Isolation Technology — Junction-isolated
Propagation Delay (Typ) — 45 ns
Channel-to-Channel Matching — <10 ns
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Marking Code — 2ED8033G4C

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר