2EDL5013U2DXTMA1 vs 2EDL8033G4CXTMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 2EDL5013U2DXTMA1 توسط Infineon و 2EDL8033G4CXTMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
2EDL5013U2DXTMA1 2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 ✓ فعال
Infineon
2EDL8033G4CXTMA1 2EDL8033G4CXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2EDL8033G4CXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2EDL8033G4CXTMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر 2EDL5013U2DXTMA1 2EDL8033G4CXTMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Driver Configuration High-Side, Low-Side (Half-Bridge) —
Input Logic Non-Inverting —
Number of Channels 2 —
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 3 A —
پیکربندی خروجی Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V —
Bootstrap Voltage Rating 120 V max —
Rise Time (typ.) 4.4 ns —
Fall Time (typ.) 3.5 ns —
Miller Clamp 7 A active Miller clamp —
Bootstrap Diode Integrated —
UVLO VCC and VBS under-voltage lockout —
محدوده دمای کاری -40C to +125C -40C to +125C
بسته‌بندی PG-TSNP-12-5 (12-pin, 5x5 mm) PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High-Side / Low-Side, Non-Inverting
تعداد خروجی‌ها — 2 (HS + LS)
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Isolation Technology — Junction-isolated
Propagation Delay (Typ) — 45 ns
Channel-to-Channel Matching — <10 ns
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Marking Code — 2ED8033G4C

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت