2EDL5013U2DXTMA1 vs 2EDL8034G4CXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDL5013U2DXTMA1 بواسطة Infineon و 2EDL8034G4CXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
2EDL5013U2DXTMA1 2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDL5013U2DXTMA1 2EDL8034G4CXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Configuration High-Side, Low-Side (Half-Bridge) —
Input Logic Non-Inverting —
Number of Channels 2 —
Peak Source Current 3 A 3 A
Peak Sink Current 3 A 4 A
تكوين الخرج Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V —
Bootstrap Voltage Rating 120 V max —
Rise Time (typ.) 4.4 ns —
Fall Time (typ.) 3.5 ns —
Miller Clamp 7 A active Miller clamp —
Bootstrap Diode Integrated —
UVLO VCC and VBS under-voltage lockout —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
العلبة PG-TSNP-12-5 (12-pin, 5x5 mm) PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant —
Driver Type — Half-Bridge (High-Side / Low-Side)
Configuration — Non-Inverting
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
عدد المخارج — 2
Rise Time (Typical) — [DATA_NEEDED: rise time ns]
Fall Time (Typical) — [DATA_NEEDED: fall time ns]
Propagation Delay (Typical) — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V
VCC Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC range V]
UVLO Protection — Yes (VCC and VBS)
Isolation Type — Junction-isolated (level-shifted)
ESD Rating (HBM) — [DATA_NEEDED: ESD HBM kV]
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -40 C to +125 C
Lead-Free / RoHS — Yes (per Infineon product page)
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر