2EDL8033G4CXTMA1 vs 2EDL5023U2DXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDL8033G4CXTMA1 بواسطة Infineon و 2EDL5023U2DXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDL8033G4CXTMA1 2EDL5023U2DXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-Side / Low-Side, Non-Inverting —
عدد المخارج 2 (HS + LS) 2
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Isolation Technology Junction-isolated —
Propagation Delay (Typ) 45 ns —
Channel-to-Channel Matching <10 ns —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
العلبة PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad) PG-TSNP-12-5
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Marking Code 2ED8033G4C —
حالة RoHS Compliant Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Driver Type — Non-Inverting
Bootstrap Voltage Rating — 120 V
Peak Gate Drive Current — 3 A (typical sink/source)
Number of Channels — 1 (Half-Bridge)
Input Logic — TTL-compatible
Input Voltage (VDD) — 5 V (gate drive supply)
Enable Pin (EN) — Active-High (logic high or left open enables)
PWM Inputs — HI (high-side), LI (low-side)
Ground Return — VSS
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C (typical industrial range)
Tape and Reel Packaging — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر