2EDN7533RXTMA1 vs 1ED3127MU12FXUMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDN7533RXTMA1 بواسطة Infineon و 1ED3127MU12FXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 2EDN7533RXTMA1 | 1ED3127MU12FXUMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| الوظيفة | Dual-channel low-side gate driver | Single-channel isolated gate driver |
| Number of Channels | 2 | — |
| Input Polarity | Inverting | — |
| Peak Source/Sink Output Current | 5 A | — |
| Output Resistance (Pull-up, typ.) | 0.5 ohm | — |
| Output Resistance (Pull-down, typ.) | 0.3 ohm | — |
| Propagation Delay (typ.) | 19 ns | 15 ns |
| Channel-to-Channel Delay Matching | 1.3 ns (typ.) | — |
| Rise/Fall Time | 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load) | — |
| Input Logic Compatibility | LV-TTL | — |
| Input Voltage Tolerance | -12 V to +22 V | — |
| Supply Voltage VDD (recommended) | 4.5 V to 20 V | — |
| Supply Voltage VDD (absolute max) | 25 V | — |
| Under-Voltage Lockout | Yes (per channel) | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -40 C to +150 C | — |
| العلبة | PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad | PG-DSO-8-72 (SOIC-8 wide-body) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| عدد المخارج | — | 1 |
| تكوين الخرج | — | High-side / Low-side, Inverting / Non-Inverting |
| Peak Output Current | — | 10 A (source/sink) |
| Continuous Output Current | — | 9 A |
| Supply Voltage (VCC2 secondary) | — | 12 V to 35 V |
| Supply Voltage (VCC1 primary) | — | 3 V to 5.5 V |
| Delay Matching (typ.) | — | 30 ns |
| Galvanic Isolation | — | 3000 Vrms (coreless transformer) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -40C to +125C |
| Protection Features | — | Miller clamp, UVLO, DESAT short-circuit protection |
| Drives | — | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET |