2EDN7533RXTMA1 vs 2EDN7533BXTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDN7533RXTMA1 بواسطة Infineon و 2EDN7533BXTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDN7533RXTMA1 2EDN7533BXTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Dual-channel low-side gate driver —
Number of Channels 2 2
Input Polarity Inverting —
Peak Source/Sink Output Current 5 A —
Output Resistance (Pull-up, typ.) 0.5 ohm —
Output Resistance (Pull-down, typ.) 0.3 ohm —
Propagation Delay (typ.) 19 ns 19 ns
Channel-to-Channel Delay Matching 1.3 ns (typ.) —
Rise/Fall Time 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load) —
Input Logic Compatibility LV-TTL —
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V —
Supply Voltage VDD (recommended) 4.5 V to 20 V —
Supply Voltage VDD (absolute max) 25 V —
Under-Voltage Lockout Yes (per channel) —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -40 C to +150 C —
العلبة PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad PG-SOT23-6-1 (6-pin SOT-23, 2.9x1.6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Product Type — Dual-channel low-side gate driver IC
Logic Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Current — ±5 A
Supply Voltage (VDD) — 4.5 V to 20 V
Channel-to-Channel Skew — [DATA_NEEDED: skew value]
Input Compatibility — LV-TTL, -12 V to +22 V absolute max tolerant
UVLO — Integrated under-voltage lockout
Output Clamping — Active gate voltage clamping
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر