2EDR7259XXUMA1 vs 1ED020I12B2XUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDR7259XXUMA1 بواسطة Infineon و 1ED020I12B2XUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDR7259XXUMA1 1ED020I12B2XUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Isolated Gate Driver IC —
البنية الطوبولوجية Dual-channel, half-bridge independent outputs —
Isolation Technology Magnetic (coreless transformer) coupling Coreless transformer (magnetic coupling)
Number of Channels 2 1
Peak Source Current (typ.) 5 A —
Peak Sink Current (typ.) 9 A —
Isolation Voltage (Vrms) 5700 Vrms 4500 Vrms
Transient Withstanding Voltage 8000 Vpk (per Infineon family datasheet) —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 150 V/ns —
Propagation Delay (typ.) 38 ns 35 ns
Channel-to-Channel Delay Match [DATA_NEEDED: ns value] —
UVLO Yes, independent per channel —
Logic Supply (VCC) 3.3 V or 5 V —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 °C to +125 °C —
العلبة PG-DSO-14 (narrow body) PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant —
AEC-Q100 [DATA_NEEDED: automotive grade status] —
Driver Type — Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated
Output Current (typ.) — 2 A source / 2 A sink
Supported Switch Voltage Class — Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET
DESAT Protection — Yes (programmable threshold)
Miller Clamp — Yes (integrated 2 A clamp FET)
Input Supply (VCC1) — 5 V (logic side)
Output Supply (VCC2) — Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V
Creepage Distance — 8 mm
درجة حرارة التشغيل — -40 °C to +125 °C
مستوى MSL — MSL-3 (per JEDEC J-STD-020)
Compliance — RoHS compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر