2EDR7259XXUMA1 vs 1ED020I12B2XUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2EDR7259XXUMA1 מאת Infineon ו 1ED020I12B2XUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 2EDR7259XXUMA1 1ED020I12B2XUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Isolated Gate Driver IC —
טופולוגיה Dual-channel, half-bridge independent outputs —
Isolation Technology Magnetic (coreless transformer) coupling Coreless transformer (magnetic coupling)
Number of Channels 2 1
Peak Source Current (typ.) 5 A —
Peak Sink Current (typ.) 9 A —
Isolation Voltage (Vrms) 5700 Vrms 4500 Vrms
Transient Withstanding Voltage 8000 Vpk (per Infineon family datasheet) —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 150 V/ns —
Propagation Delay (typ.) 38 ns 35 ns
Channel-to-Channel Delay Match [DATA_NEEDED: ns value] —
UVLO Yes, independent per channel —
Logic Supply (VCC) 3.3 V or 5 V —
טווח טמפרטורת פעולה -40 °C to +125 °C —
מארז PG-DSO-14 (narrow body) PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant —
AEC-Q100 [DATA_NEEDED: automotive grade status] —
Driver Type — Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated
Output Current (typ.) — 2 A source / 2 A sink
Supported Switch Voltage Class — Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET
DESAT Protection — Yes (programmable threshold)
Miller Clamp — Yes (integrated 2 A clamp FET)
Input Supply (VCC1) — 5 V (logic side)
Output Supply (VCC2) — Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V
Creepage Distance — 8 mm
טמפרטורת פעולה — -40 °C to +125 °C
רמת MSL — MSL-3 (per JEDEC J-STD-020)
Compliance — RoHS compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר