2EP100RXTMA1 vs 2EP101RXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EP100RXTMA1 بواسطة Infineon و 2EP101RXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EP100RXTMA1 2EP101RXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Full-Bridge Transformer Driver PMIC Full-Bridge Transformer Driver PMIC
البنية الطوبولوجية Full-bridge (H-bridge) with external transformer Full-bridge (H-bridge) with external transformer
Output Power (max) 5 W —
Supply Voltage (max) 20 V —
Supply Voltage (min, typical) [DATA_NEEDED: min supply voltage] —
تردد التبديل Programmable via external resistor —
Dead Time Configurable —
تكوين الخرج Drives external center-tapped transformer —
بدء التشغيل الناعم Built-in —
Enable / Shutdown Yes —
Undervoltage Lockout (UVLO) Built-in —
الإيقاف الحراري Built-in —
Short-Circuit Protection Built-in (primary-side current limit) —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 °C to +125 °C
العلبة PG-TSSOP-8 PG-TSSOP-8
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
حالة RoHS Compliant —
Target Applications Isolated gate driver supplies, isolated DC-DC converters —
Supply Voltage Range — 5 V to 20 V
Maximum Output Power — 5 W
Switching Frequency Option 1 — 50 kHz
Switching Frequency Option 2 — 65 kHz
Duty Cycle Option 1 — 12%
Duty Cycle Option 2 — 17%
عدد المخارج — 1 (full-bridge differential primary)
Primary Application — Isolated IGBT and SiC MOSFET gate driver supply
RoHS Compliance — Compliant
Delivery Form — Tape and Reel (XT suffix)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر