2EP110RXTMA1 vs 2EP100RXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EP110RXTMA1 بواسطة Infineon و 2EP100RXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EP110RXTMA1 2EP100RXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Voltage Regulators Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Full-Bridge Transformer Driver PMIC Full-Bridge Transformer Driver PMIC
البنية الطوبولوجية Full-bridge (two internal half-bridges) Full-bridge (H-bridge) with external transformer
Input Voltage (VCC) 20 V nominal —
Output Power 5 W —
تردد التبديل 50 kHz / 65 kHz (selectable) Programmable via external resistor
Target Loads IGBT and SiC MOSFET gate driver supplies —
العلبة PG-TSSOP-8 PG-TSSOP-8
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
Protection Features Under-voltage lockout (UVLO), over-temperature shutdown (OTP), soft-start —
تكوين الخرج Drives external centre-tapped transformer (rectification on secondary) Drives external center-tapped transformer
مستوى MSL MSL 3 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
خالٍ من الهالوجين Yes —
Output Power (max) — 5 W
Supply Voltage (max) — 20 V
Supply Voltage (min, typical) — [DATA_NEEDED: min supply voltage]
Dead Time — Configurable
بدء التشغيل الناعم — Built-in
Enable / Shutdown — Yes
Undervoltage Lockout (UVLO) — Built-in
الإيقاف الحراري — Built-in
Short-Circuit Protection — Built-in (primary-side current limit)
نطاق درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Target Applications — Isolated gate driver supplies, isolated DC-DC converters

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر