AT45DB041D-SU vs AT45DB041E مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ AT45DB041D-SU بواسطة Renesas Electronics و AT45DB041E بواسطة Renesas Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Renesas Electronics
AT45DB041D-SU AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU ✓ نشط
Renesas Electronics
AT45DB041E AT45DB041E - 4Mbit SPI DataFlash 85MHz 1.65V | Renesas

AT45DB041E - 4Mbit SPI DataFlash 85MHz 1.65V | Renesas

AT45DB041E ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل AT45DB041D-SU AT45DB041E
العلامة التجارية Renesas Electronics Renesas Electronics
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DataFLASH NOR Flash - DataFlash (SPI NOR)
Memory Format FLASH —
Density 4 Mbit (4,325,376 bits) —
التنظيم 2,048 pages x 264 bytes (binary) or 256 bytes (standard) —
الواجهة SPI, RapidS (SPI modes 0 and 3) SPI Serial (RapidS)
أقصى تردد للساعة 66 MHz 85 MHz
جهد التغذية 2.7 V to 3.6 V —
SRAM Data Buffers 2 x 264 bytes 2 x 264 bytes
Page Program Time [DATA_NEEDED: page program time] —
Endurance 100,000 program/erase cycles per page —
Data Retention 20 years minimum —
Security Register 128 bytes —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
العلبة 8-pin SOIC (150 mil, EIAJ) 8-SOIC (208 mil)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free Yes —
Memory Capacity — 4 Mbit (512 KB)
Supply Voltage Range — 1.65 V to 3.6 V
Page Size — 264 bytes
Number of Pages — 2048
Erase Granularity — Page / Block (8 pages) / Sector
Write Protection — Hardware /WP pin + software sector protection
Access Type — Sequential access (DataFlash architecture)
Typical Applications — Digital voice, image, program code, data storage

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر