AT45DB041D-SU vs AT45DB041E तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना AT45DB041D-SU द्वारा Renesas Electronics और AT45DB041E द्वारा Renesas Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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AT45DB041D-SU AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU ✓ सक्रिय
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AT45DB041E AT45DB041E - 4Mbit SPI DataFlash 85MHz 1.65V | Renesas

AT45DB041E - 4Mbit SPI DataFlash 85MHz 1.65V | Renesas

AT45DB041E ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर AT45DB041D-SU AT45DB041E
ब्रांड Renesas Electronics Renesas Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DataFLASH NOR Flash - DataFlash (SPI NOR)
Memory Format FLASH —
Density 4 Mbit (4,325,376 bits) —
संगठन 2,048 pages x 264 bytes (binary) or 256 bytes (standard) —
इंटरफ़ेस SPI, RapidS (SPI modes 0 and 3) SPI Serial (RapidS)
अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी 66 MHz 85 MHz
सप्लाई वोल्टेज 2.7 V to 3.6 V —
SRAM Data Buffers 2 x 264 bytes 2 x 264 bytes
Page Program Time [DATA_NEEDED: page program time] —
Endurance 100,000 program/erase cycles per page —
Data Retention 20 years minimum —
Security Register 128 bytes —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
पैकेज 8-pin SOIC (150 mil, EIAJ) 8-SOIC (208 mil)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free Yes —
Memory Capacity — 4 Mbit (512 KB)
Supply Voltage Range — 1.65 V to 3.6 V
Page Size — 264 bytes
Number of Pages — 2048
Erase Granularity — Page / Block (8 pages) / Sector
Write Protection — Hardware /WP pin + software sector protection
Access Type — Sequential access (DataFlash architecture)
Typical Applications — Digital voice, image, program code, data storage

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