BSC010N04LSATMA1 vs BSC019N04NSGATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC010N04LSATMA1 بواسطة Infineon و BSC019N04NSGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 - 40V 100A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC010N04LSATMA1 - 40V 100A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC010N04LSATMA1 ✓ نشط
Infineon
BSC019N04NSGATMA1 BSC019N04NSGATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

BSC019N04NSGATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

BSC019N04NSGATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSC010N04LSATMA1 BSC019N04NSGATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/- 20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 38 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 1.0 mOhm —
On-Resistance RDS(on) Test Condition VGS = 10 V, ID = 50 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ 2 V —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (Tc=25C) 139 W —
Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C -55C to +150C
العلبة PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 FL)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 —
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, halogen-free —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS (trench)
Avalanche Rated 100% avalanche tested —
Manufacturer Infineon Technologies —
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 30 A
RDS(on) max at VGS=10V — 2.5 mΩ
RDS(on) typ at VGS=10V — 1.9 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 125 W
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر