BSC010N04LSATMA1 vs BSC019N04NSGATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC010N04LSATMA1 द्वारा Infineon और BSC019N04NSGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 - 40V 100A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC010N04LSATMA1 - 40V 100A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC010N04LSATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC019N04NSGATMA1 BSC019N04NSGATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

BSC019N04NSGATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

BSC019N04NSGATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSC010N04LSATMA1 BSC019N04NSGATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Breakdown Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/- 20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 38 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 1.0 mOhm —
On-Resistance RDS(on) Test Condition VGS = 10 V, ID = 50 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ 2 V —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (Tc=25C) 139 W —
Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +150C -55C to +150C
पैकेज PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 FL)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 1 —
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, halogen-free —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS (trench)
Avalanche Rated 100% avalanche tested —
Manufacturer Infineon Technologies —
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 30 A
RDS(on) max at VGS=10V — 2.5 mΩ
RDS(on) typ at VGS=10V — 1.9 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 125 W
RoHS स्थिति — Compliant

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध