BSC014NE2LSIATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC014NE2LSIATMA1 بواسطة Infineon و BSC014N04LSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC014NE2LSIATMA1 | BSC014N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 33 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | [DATA_NEEDED: Tc condition rating] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | 100 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) | 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 74 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 °C to +150 °C | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 96 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +175C |