BSC014NE2LSIATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC014NE2LSIATMA1 tarafından Infineon ve BSC014N04LSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC014NE2LSIATMA1 | BSC014N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 33 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | [DATA_NEEDED: Tc condition rating] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | 100 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) | 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 74 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 °C to +150 °C | — |
| Paket | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 96 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +175C |