BSC016N06NSTATMA1 vs BSC016N06NSATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC016N06NSTATMA1 بواسطة Infineon و BSC016N06NSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC016N06NSTATMA1 —
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS™ 5
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 31 A —
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) 1.6 mOhm —
Power Dissipation (Tc) 167 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
العلبة PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C -55 °C to +150 °C
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (unlimited)
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Series OptiMOS —
Product Series — OptiMOS™ 5 60V
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TA) — 30 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.6 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 71 nC
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Power Dissipation (TA) — 2.5 W
Power Dissipation (TC) — 139 W
Gate Drive (recommended) — 10 V

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر