BSC016N06NSTATMA1 vs BSC016N06NSATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC016N06NSTATMA1 द्वारा Infineon और BSC016N06NSATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 - 60V OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSC016N06NSTATMA1 - 60V OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSC016N06NSTATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 - 60V 100A 1.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC016N06NSATMA1 - 60V 100A 1.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC016N06NSATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC016N06NSTATMA1 —
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS™ 5
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 31 A —
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) 1.6 mOhm —
Power Dissipation (Tc) 167 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
पैकेज PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +150 C -55 °C to +150 °C
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (unlimited)
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Series OptiMOS —
Product Series — OptiMOS™ 5 60V
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TA) — 30 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.6 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 71 nC
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Power Dissipation (TA) — 2.5 W
Power Dissipation (TC) — 139 W
Gate Drive (recommended) — 10 V

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