BSC016N06NSTATMA1 vs BSC016N06NSATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC016N06NSTATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC016N06NSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 - 60V OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSC016N06NSTATMA1 - 60V OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSC016N06NSTATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 - 60V 100A 1.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC016N06NSATMA1 - 60V 100A 1.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC016N06NSATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC016N06NSTATMA1 —
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS™ 5
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 31 A —
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) 1.6 mOhm —
Power Dissipation (Tc) 167 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
প্যাকেজ PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +150 C -55 °C to +150 °C
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (unlimited)
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Series OptiMOS —
Product Series — OptiMOS™ 5 60V
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TA) — 30 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.6 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 71 nC
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Power Dissipation (TA) — 2.5 W
Power Dissipation (TC) — 139 W
Gate Drive (recommended) — 10 V

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট