BSC027N04LSGATMA1 vs BSC021N08NS5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC027N04LSGATMA1 بواسطة Infineon و BSC021N08NS5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSC021N08NS5ATMA1 BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSC027N04LSGATMA1 BSC021N08NS5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
تبديد القدرة (TC=25°C) 83 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +150°C —
العلبة PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) OptiMOS 5 (N-channel trench)
مستوى MSL 1 MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
حالة RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
خالٍ من الهالوجين Yes —
Part Number — BSC021N08NS5ATMA1
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 80 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) — 226 A
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) — 100 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10 V) — 2.1 mΩ
Gate-Source Voltage V_GS max — ±20 V
Power Dissipation P_D (Tc=25°C) — 214 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +175 °C
Total Gate Charge Q_G typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
R_thJC thermal resistance max — [DATA_NEEDED: R_thJC]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Delivery Form — Tape & Reel (T&R)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر