BSC027N04LSGATMA1 vs BSC021N08NS5ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC027N04LSGATMA1 מאת Infineon ו BSC021N08NS5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC027N04LSGATMA1 | BSC021N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 2.7 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | 2.5 W | — |
| פיזור הספק (TC=25°C) | 83 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55°C to +150°C | — |
| מארז | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench) | OptiMOS 5 (N-channel trench) |
| רמת MSL | 1 | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free) |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| Part Number | — | BSC021N08NS5ATMA1 |
| Drain-Source Voltage (V_DS max) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) | — | 226 A |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10 V) | — | 2.1 mΩ |
| Gate-Source Voltage V_GS max | — | ±20 V |
| Power Dissipation P_D (Tc=25°C) | — | 214 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55 °C to +175 °C |
| Total Gate Charge Q_G typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| R_thJC thermal resistance max | — | [DATA_NEEDED: R_thJC] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |
| Delivery Form | — | Tape & Reel (T&R) |