BSC027N06LS5ATMA1 vs BSC059N04LSGATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC027N06LS5ATMA1 بواسطة Infineon و BSC059N04LSGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSC027N06LS5ATMA1 BSC059N04LSGATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™ 5 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100°C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 2.7 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 83 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +150°C -55 C to +150 C
العلبة / الحالة PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 8 —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total Qg] —
Avalanche Energy Rated Yes —
حالة RoHS Compliant Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 73 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 16 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.9 mOhm
Power Dissipation (Tc=25C) — 50 W
Power Dissipation (Ta=25C) — 2.5 W
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 1.2 V to 2.0 V (typ)
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC]
العلبة — PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
مستوى MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
REACH Status — Compliant
Channel Type — N-Channel

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر