BSC027N10NS5ATMA1 vs BSC098N10NS5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC027N10NS5ATMA1 بواسطة Infineon و BSC098N10NS5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC027N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة NRND نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC027N10NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (100V) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 194 A [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 214 W —
العلبة PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: Tj min/max] [DATA_NEEDED: Tj min/max]
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Qualification Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 60 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — [DATA_NEEDED: ID Ta-rated value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 9.8 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max +/-]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (Tc=25C) — 69 W
Diode Continuous Forward Current (IS) — 63 A (Tc=25C)
Diode Pulse Current (IS,pulse) — 240 A (Tc=25C)
Diode Forward Voltage (VSD) typ — 0.9 V (IF=30 A, Tj=25C)
Diode Forward Voltage (VSD) max — 1.1 V (IF=30 A, Tj=25C)
Shipping Packaging — Tape & Reel (T/R)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر