BSC027N10NS5ATMA1 vs BSC0993NDATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC027N10NS5ATMA1 بواسطة Infineon و BSC0993NDATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC027N10NS5ATMA1 | BSC0993NDATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | NRND | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC027N10NS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 (100V) | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 23 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 194 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 2.7 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 214 W | — |
| العلبة | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TISON-8 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | -55C to +150C (junction) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Qualification | Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) | — |
| Product Series | — | OptiMOS 5 30V |
| Configuration | — | Dual N-Channel (Array) |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Ta | — | 17 A |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| ESD Protection | — | Yes (integrated) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Rds(on) max @ Vgs=10V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) value] |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |