BSC027N10NS5ATMA1 vs BSC0993NDATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC027N10NS5ATMA1 от Infineon и BSC0993NDATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC0993NDATMA1 BSC0993NDATMA1 - 30V 17A Dual N-Ch OptiMOS 5 Array | Infineon

BSC0993NDATMA1 - 30V 17A Dual N-Ch OptiMOS 5 Array | Infineon

BSC0993NDATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC027N10NS5ATMA1 BSC0993NDATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла NRND Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,10 $1,32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC027N10NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (100V) OptiMOS 5 trench MOSFET
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 194 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 214 W —
Корпус PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TISON-8
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55C to +150C (junction)
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Qualification Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) —
Product Series — OptiMOS 5 30V
Configuration — Dual N-Channel (Array)
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Ta — 17 A
Channel Mode — Enhancement
ESD Protection — Yes (integrated)
Lead-Free — Yes
Rds(on) max @ Vgs=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену