BSC039N06NSATMA1 vs BSC011N03LSIATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC039N06NSATMA1 بواسطة Infineon و BSC011N03LSIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC039N06NSATMA1 | BSC011N03LSIATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 19 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] | [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.9 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | — |
| Power Dissipation at TA (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC (PD) | 69 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +150C | -55 °C to +150 °C |
| العلبة | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-7 (Surface Mount) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الدبابيس | 8 | — |
| Gate Drive Voltage (VGS) | ±20 V max | — |
| Technology | OptiMOS 5 (TrenchFET-style) | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS™ 30 V |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 1.1 mΩ (typical) |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 96 W |