BSC039N06NSATMA1 vs BSC011N03LSIATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC039N06NSATMA1 द्वारा Infineon और BSC011N03LSIATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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BSC011N03LSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 1.1mΩ Power MOSFET | Infineon
BSC011N03LSIATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC039N06NSATMA1 | BSC011N03LSIATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 19 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] | [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.9 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | — |
| Power Dissipation at TA (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC (PD) | 69 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +150C | -55 °C to +150 °C |
| पैकेज | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-7 (Surface Mount) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन की संख्या | 8 | — |
| Gate Drive Voltage (VGS) | ±20 V max | — |
| Technology | OptiMOS 5 (TrenchFET-style) | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS™ 30 V |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 1.1 mΩ (typical) |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 96 W |