BSC039N06NSATMA1 vs BSC011N03LSIATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC039N06NSATMA1 מאת Infineon ו BSC011N03LSIATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSC039N06NSATMA1 BSC011N03LSIATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 19 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] [DATA_NEEDED: pulsed IDM value]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.9 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Power Dissipation at TA (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at TC (PD) 69 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +150C -55 °C to +150 °C
מארז PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (Surface Mount)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 8 —
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Technology OptiMOS 5 (TrenchFET-style) —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS™ 30 V
Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 37 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 100 A
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V — 1.1 mΩ (typical)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation at TC=25°C — 96 W

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר