BSC039N06NSATMA1 vs IPD031N06L3GATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC039N06NSATMA1 بواسطة Infineon و IPD031N06L3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC039N06NSATMA1 IPD031N06L3GATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 OptiMOS 3
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 19 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] 400 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.9 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Power Dissipation at TA (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at TC (PD) 69 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +150C —
العلبة PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) PG-TO252-3 (DPAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الدبابيس 8 —
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Technology OptiMOS 5 (TrenchFET-style) MOSFET (Metal Oxide)
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (Unlimited)
حالة RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 100 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 167 W
RDS(on) Max at VGS=10V — 3.1 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.2 V
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) — 4.5 V, 10 V
Total Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55°C to +175°C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر