BSC039N06NSATMA1 vs IPD031N06L3GATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC039N06NSATMA1 bằng Infineon và IPD031N06L3GATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSC039N06NSATMA1 - 60V 3.9mΩ 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
BSC039N06NSATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IPD031N06L3GATMA1 - 60V 100A 3.1mΩ N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
IPD031N06L3GATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC039N06NSATMA1 | IPD031N06L3GATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 | OptiMOS 3 |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 19 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] | 400 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.9 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | — |
| Power Dissipation at TA (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC (PD) | 69 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55C to +150C | — |
| Hộp | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Số lượng chân | 8 | — |
| Gate Drive Voltage (VGS) | ±20 V max | — |
| Technology | OptiMOS 5 (TrenchFET-style) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (Unlimited) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 100 A |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 167 W |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 3.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.2 V |
| Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) | — | 4.5 V, 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55°C to +175°C |