BSC040N10NS5ATMA1 vs BSC040N08NS5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC040N10NS5ATMA1 بواسطة Infineon و BSC040N08NS5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) 4 mOhm —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) max 136 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 139 W —
العلبة PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) / TDSON EP-8 PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] [DATA_NEEDED: Qg typical]
Output Capacitance Reduction Up to 44% vs previous generation —
RDS(on) Reduction Up to 43% vs previous generation —
حالة RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Infineon OptiMOS 5 family) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC040N08NS5ATMA1
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) — 121 A
On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 4 mOhm
Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc=25C) — 104 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +175 C
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
مستوى MSL — 1
Primary Application — Synchronous rectification in telecom and server power supplies

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر