BSC040N10NS5ATMA1 vs BSC040N08NS5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC040N10NS5ATMA1 tarafından Infineon ve BSC040N08NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) 4 mOhm —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) max 136 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 139 W —
Paket PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) / TDSON EP-8 PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] [DATA_NEEDED: Qg typical]
Output Capacitance Reduction Up to 44% vs previous generation —
RDS(on) Reduction Up to 43% vs previous generation —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Infineon OptiMOS 5 family) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC040N08NS5ATMA1
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) — 121 A
On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 4 mOhm
Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc=25C) — 104 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
MSL Seviyesi — 1
Primary Application — Synchronous rectification in telecom and server power supplies

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin