BSC042NE7NS3GATMA1 vs IAUC100N08S5N043ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC042NE7NS3GATMA1 بواسطة Infineon و IAUC100N08S5N043ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC042NE7NS3GATMA1 | IAUC100N08S5N043ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC042NE7NS3GATMA1 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) |
| Technology | OptiMOS 3 | OptiMOS 5 (Trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 19 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 4.2 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 1.7 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 125 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C | -55°C to +175°C |
| العلبة | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-34 (SuperSO8) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 1 | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Part Series | — | IAUC / OptiMOS 5 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | — | 100 A (package limited) |
| Continuous Drain Current (chip-limited) | — | 120 A at T<sub>C</sub>=25°C, R<sub>thJC</sub>=1.2 K/W |
| Maximum R<sub>DS(on)</sub> | — | 4.3 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | — | 125 W (T<sub>C</sub>) |
| عدد الأطراف | — | 8 |
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | — | MSL1 (up to 260°C peak reflow) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| RoHS / REACH | — | RoHS Compliant (Green Product) |
| Channel Mode | — | Enhancement |