BSC042NE7NS3GATMA1 vs IAUC100N08S5N043ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC042NE7NS3GATMA1 توسط Infineon و IAUC100N08S5N043ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC042NE7NS3GATMA1 | IAUC100N08S5N043ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC042NE7NS3GATMA1 | — |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) |
| Technology | OptiMOS 3 | OptiMOS 5 (Trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 19 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 4.2 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 1.7 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 125 W | — |
| محدوده دمای کاری | -55C to +150C | -55°C to +175°C |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-34 (SuperSO8) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| سطح MSL | 1 | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| Part Series | — | IAUC / OptiMOS 5 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | — | 100 A (package limited) |
| Continuous Drain Current (chip-limited) | — | 120 A at T<sub>C</sub>=25°C, R<sub>thJC</sub>=1.2 K/W |
| Maximum R<sub>DS(on)</sub> | — | 4.3 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | — | 125 W (T<sub>C</sub>) |
| تعداد پایه | — | 8 |
| سطح حساسیت به رطوبت (MSL) | — | MSL1 (up to 260°C peak reflow) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| RoHS / REACH | — | RoHS Compliant (Green Product) |
| Channel Mode | — | Enhancement |